涨价30%!存储芯片涨价潮席卷全球发表时间:2025-10-23 22:02 《韩国经济日报》报道,三星电子、SK海力士等主要内存供应商,将在今年第四季度继续向客户调整报价。幅度上,包括DRAM和NAND在内存储产品价格将上调高达30%,从而顺应AI驱动的存储芯片需求激增趋势。 美光则已通知客户要将NAND型闪存报价调涨20~30%,同时还暂停接受新订单。 反映了当前全球存储芯片市场正在发生的重大变化。这并非简单的短期价格波动,而是由深层结构性因素驱动的行业趋势。 目前DRAM市场的整体讯息呈现强劲的涨价趋势,DRAM和NANDFlash都出现缺货现象,且缺口比先前预测更大。AI服务器与数据中心需求最为强劲,直接带动HBM和高阶DDR5的渗透率与需求。PC方面,随着Windows10服务退出,以及市场对AIPC的期待,带动PC端的换机需求转强,需要更多DRAM,及智能手机在高容量化趋势下,旗舰机种已大量搭载12GB以上的DRAM,推升LPDDR5等高阶行动DRAM的需求。 本轮涨价幅度略高于预期。早在9月下旬,三星电子便已发出第四季度提价通知,当时的计划是将部分DRAM价格上调15%至30%,NAND闪存价格上调5%至10%。而回到当下,根据花旗集团和摩根士丹利在其半导体行业分析报告中所预测,第四季度DRAM平均售价将上涨25-26%,比上一季度上涨10%以上,涨价热潮或进一步加剧。
存储芯片行业正加速迈入“超级周期”几乎已成为市场不争的共识。如存储模组大厂威刚董事长陈立白判断,第四季度仅仅是存储严重缺货的起点,明年存储产业将继续处于供货吃紧状态。 对存储芯片供应趋紧的预判则进一步加剧了市场的囤货行为。另据《朝鲜日报》报道,由于担心DRAM短缺,几家领先的国际电子和服务器公司正在囤积内存,并与三星和SK海力士洽谈签订2至3年长期供应协议,与以往按季度或年度签订合同的传统形成鲜明对照。 存储芯片进入“超级周期”的源头何在?归根结底,离不开AI和高性能计算需求的爆发。 正如美光公司首席商务官苏米特·萨达纳(Sumit Sadhana)所言,DRAM价格上涨部分原因是供应紧张,而这一趋势很大程度上是由HBM需求激增推动的,因为HBM消耗的晶圆容量是标准DRAM的三倍多。而根据摩根士丹利预测,今年包括谷歌、亚马逊、Meta、微软在内的科技巨头,将在人工智能基础设施上投入4000亿美元。 国内外存储厂商纷纷将优先布局HBM相关的先进封测领域作为其经营策略。10月20日消息,三星正在加紧推进HBM4的研发,计划于10月27日至31日进行发布,并于今年晚些时候量产。上市公司方面,佰维存储于10月21日在互动平台表示,公司的晶圆级先进封测制项目正处于投产准备过程中,公司正加紧惠州封测制造中心的产能扩建。 从价格趋势来看,TrendForce预测,2025年HBM的平均销售单价将同比上涨20.8%,达到1.80美元/Gb,盈利能力可观。另有机构预计明年上市的12层HBM4产品单价将达到500美元,比售价约300美元的12层HBM3e高出60%以上。 三大原厂产能有限 三大原厂DRAM新产能集中高带宽内存(HBM)及先进制程产品,传统DDR4供应进一步下滑,南亚科、华邦电登等存储厂商成为全球DDR4市场的新选择。 三星主导全球DRAM扩产布局,其P3L厂预计至2026年底可提升至每月11.5万片;P4L厂预计2025年第3季完工、第2期于2026年第2季投产,届时总产能达6万片;而P5L新厂则于2025年10月复工,预定2027年底量产。三星聚焦于1c纳米与HBM4世代产品,扩产步调审慎。 SK海力士韩国M15X厂今年第4季初完工,主要用于HBM3E与HBM4量产。由于HBM需求强劲,该公司优先将资源分配高阶封装与垂直堆栈,以巩固其在AI服务器供应链地位。 以下是对这一情况的详细梳理和分析: 📈 核心动态梳理
这次涨价潮主要由两大因素驱动:AI带来的需求革命和供应链的战略转向。 需求端:AI成为“超级吸金兽”
供给端:厂商的主动战略调整
🔄 对产业链和消费者的影响
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