东大5纳米光刻技术蓄势待发，上海国际半导体展新凯来首秀

在3月26日开幕的上海国际半导体展（Semicon China）上，一家与H公司关系密切的中国半导体设备制造商——SiCarrier新凯来——成为全场焦点。这是该公司成立四年来首次公开其最新芯片制造设备，引发行业对国产芯片技术突破的强烈关注。

新凯来首秀：国产光刻机设备“突围”引轰动

在Semicon China的首日展会上，新凯来的展位人潮涌动。从行业同行到潜在客户，再到媒体记者，众多观众争相了解这家神秘企业的最新技术进展。该公司此次展出了数十款芯片制造与测试设备，包括刻蚀机、清洗设备等关键环节的工具，部分设备甚至可能支持5纳米芯片制程——这一突破性技术此前被认为依赖美国主导的极紫外光刻（EUV）技术，而中国在该领域长期受制于美国出口管制。

据现场工作人员透露，由于保密原因，部分设备虽未明确标注制程节点，其中一些节点，包括不在产品清单上的蚀刻工具，能够支持5纳米芯片的生产。这一说法与SiCarrier在2023年申请的一项专利相呼应，该专利提出通过改进深紫外光刻（DUV）技术实现5纳米芯片制造，绕过需要EUV技术的限制。

此次参展，新凯来通过照片和模型的方式展示了其多款即将发布的产品，包括薄膜产品PVD（普陀山）、CVD（长白山）、ALD（阿里山）；扩散装备RTP（三清山）、EPI（峨眉山）；刻蚀产品ETCH（武夷山）；光学检测产品岳麗山BFI、丹霞山DFI、蓬莱山PC、莫干山MBI；光学量测产品天门山IBO、天门山DBO；PX量测产品沂蒙山AFM、赤壁山-XP XPS、赤壁山-XD XRD、赤壁山-XF XRF；功率检测产品RATE-CP、RATE-KGD、RATE-FT。

下面是这些设备的技术解读：

1. EPI“峨眉山”：针对外延沉积工艺，是先进制程（如3nm）和第三代半导体（碳化硅、氮化镓）的关键装备，打破应用材料（AMAT）、东京电子（TEL）的长期垄断。

2. ETCH“武夷山”：蚀刻设备对标AMAT的市场份额，用于芯片微观结构雕刻，精度达纳米级。

3. CVD“长白山”：化学气相沉积设备，突破东京电子在5nm以下制程的技术壁垒，支持高纯度薄膜沉积。

5nm光刻技术突破背后的产业链猜想

尽管新凯开未直接确认其设备是否参与华为公司2023年推出的7纳米麒麟芯片（搭载于Mate 60 Pro手机）的生产，但业界普遍推测两者存在关联。华为在2023年突破美国制裁、成功量产7纳米芯片，被认为离不开本土供应链的支撑。而SiCarrier作为深圳市政府重点扶持的半导体设备企业，其技术路径与华为需求高度契合。

分析人士指出，若SiCarrier的设备确能支持更先进制程，将极大缓解中国芯片制造对ASML等国际巨头的依赖，并为华为等企业继续推进高端芯片研发提供关键支撑。

中美芯片战下的“突围”信号

此次展会正值美国对华半导体出口管制持续收紧之际。SiCarrier的亮相被视为中国在芯片制造设备领域“自主可控”战略的阶段性成果。该公司成立仅四年，便凭借深圳政府的政策与资金支持，迅速在刻蚀、清洗等关键工艺环节取得突破，凸显了中国在半导体产业链中“卡脖子”环节的攻坚决心。

展会期间，一名行业观察人士表示：“SiCarrier的设备若能实现量产并稳定输出，将为中国芯片制造企业打开新的可能性。这不仅是技术突破，更是对美国技术封锁的一次有力回击。”

行业反响：国产替代加速，但挑战犹存

尽管SiCarrier的展台人气爆棚，但其设备的实际性能、量产能力和市场接受度仍需时间验证。目前，中国企业在高端芯片制造设备领域的全球份额仍较低，而美国对华技术封锁的进一步升级可能带来新的不确定性。

不过，此次展会传递的信号已足够明确：在本土企业的持续突破下，中国半导体产业正加速摆脱“缺芯”困境。对于SiCarrier而言，这场上海之行不仅是技术实力的展示，更是其走向国际舞台的重要一步。

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